本發(fā)明公開了一種基于化學氣相沉積制備具有光電響應的二硒化鈮納米片陣列的方法,是以五氧化二鈮粉末和硒粉為原料,通過一步常壓化學氣相沉積在氧化硅襯底上生長出高質量的二硒化鈮納米片陣列。本發(fā)明具有生長簡便、大面積、高效的特點,所制備的材料具有良好的紫外?可見光吸收性能和良好的穩(wěn)定性,且光探測響應速度快。
聲明:
“基于化學氣相沉積制備具有光電響應的二硒化鈮納米片陣列的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)