本發(fā)明公開了一種缺陷定位方法、裝置及存儲介質(zhì),其屬于
鋰電池制備技術(shù)領(lǐng)域,缺陷定位方法具體為先根據(jù)缺陷識別記錄確定缺陷位置與第一預(yù)設(shè)位置在極片長度方向上的第一缺陷距離;測量極片的厚度及卷筒的外半徑;將所述第一缺陷距離、所述極片的厚度及所述卷筒的外半徑代入指定公式中,通過計算和轉(zhuǎn)換確定缺陷位置。本發(fā)明提供的缺陷定位方法、裝置及存儲介質(zhì)能夠解決CCD設(shè)備漏打標(biāo)的問題,使得能夠較精準(zhǔn)計算缺陷位置,進行手動補標(biāo),其操作方法簡單、實用性強。
聲明:
“缺陷定位方法、裝置及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)