本發(fā)明屬于氮化硅陶瓷技術領域,涉及一種高β相含量致密氮化硅陶瓷及低溫制備方法。涉及的一種高β相含量致密氮化硅陶瓷的制備原料包括Si
3N
4粉和燒結助劑;燒結助劑為Li
xMO
y型鋰鹽以及一種或多種其它氧化物組成的復合燒結助劑;其中Li
xMO
y型鋰鹽為LiAlO
2、LiYO
2、LiNbO
3、Li
2ZrO
3、LiYbO
2、Li
2SiO
3中的一種,其它氧化物為
稀土氧化物或金屬氧化物,Y
2O
3、CeO
2、Yb
2O
3、MgO、CaO、MgAl
2O
4中的一種或多種;所述復合燒結助劑中Li
xMO
y型鋰鹽和其它氧化物質量比為4~12:0~8;所述Si
3N
4粉與復合燒結助劑質量比為85~94:6~15。本發(fā)明大大降低了燒結溫度,減少了氮化硅陶瓷的揮發(fā),更好的保持氮化硅陶瓷的優(yōu)異性能。
聲明:
“高β相致密氮化硅陶瓷及低溫制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)