本發(fā)明涉及一種用于減小具有非線性光學(xué)性能的晶體的敏感性方法,尤其是鈮酸鋰或鉭酸鋰防止曝光行為的損傷(光學(xué)損傷)。而光感應(yīng)引起的折射率變化也會產(chǎn)生類似的損傷。通過使用外部的離子摻雜可提高晶體的暗導(dǎo)電率。
聲明:
“提高晶體的抗“光學(xué)損傷”力” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)