權(quán)利要求

1.一種碲化鎘晶體退火裝置，包括退火爐(1)和設(shè)置在退火爐(1)中的上料組件，其特征在于，所述退火爐(1)的兩端開口處的內(nèi)壁安裝有外密封圈(2)，所述退火爐(1)的上方兩內(nèi)壁分別安裝有真空管(11)和氬氣管(12)，所述退火爐(1)的內(nèi)部安裝有電熱絲(17)，所述退火爐(1)的兩端內(nèi)側(cè)壁卡設(shè)有定位槽(18)，所述定位槽(18)的內(nèi)壁安裝有內(nèi)密封圈(21)，所述退火爐(1)的底部安裝有固定座(13)，所述固定座(13)的兩端分別安裝有螺桿(15)和導(dǎo)向桿(16)，所述固定座(13)一端靠近螺桿(15)的側(cè)壁安裝有電機(jī)(14);

所述上料組件包括安裝座(3)、第一固定桿(32)、外密封板(321)、第二固定桿(33)和內(nèi)密封板(331)，所述安裝座(3)的兩側(cè)壁分別和第一固定桿(32)及第二固定桿(33)固定連接，所述內(nèi)密封板(331)和另一個(gè)上料組件的第二固定桿(33)的一端固定連接，兩個(gè)所述上料組件公用同個(gè)內(nèi)密封板(331)，所述安裝座(3)的上方開設(shè)有三個(gè)凹槽(31)，所述外密封板(321)的側(cè)壁安裝有對(duì)稱的滑塊(322)，其中一個(gè)所述滑塊(322)的內(nèi)壁和螺桿(15)的外壁螺紋連接，另一個(gè)所述滑塊(322)的內(nèi)壁和導(dǎo)向桿(16)的外壁滑動(dòng)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述真空管(11)和氬氣管(12)的管道一端分別安裝有閥門，所述真空管(11)外接真空泵。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述螺桿(15)的兩端分別和兩個(gè)上料組件中外密封板(321)外側(cè)滑塊(322)的內(nèi)壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述螺桿(15)的一端和電機(jī)(14)的輸出端固定連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，兩個(gè)所述外密封板(321)的一側(cè)外壁分別和退火爐(1)兩端外側(cè)壁中的外密封圈(2)密封連接，所述內(nèi)密封板(331)的外壁和內(nèi)密封圈(21)的外壁密封連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，兩個(gè)所述外密封板(321)的一側(cè)外壁開設(shè)有兩組對(duì)稱的密封槽(38)，所述密封槽(38)的一側(cè)開設(shè)有穿透的通槽(381)，所述固定座(13)的兩側(cè)內(nèi)壁安裝有兩組和通槽(381)內(nèi)壁滑動(dòng)連接的滑桿(131)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述安裝座(3)的兩側(cè)外壁開設(shè)有對(duì)稱的滑槽(34)，所述滑槽(34)的內(nèi)壁開設(shè)有限位槽(341)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述滑槽(34)的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有定位塊(35)，所述定位塊(35)的上端開設(shè)斜面，所述定位塊(35)的底端安裝有和限位槽(341)內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位塊(351)，所述限位塊(351)的一端安裝有和滑槽(34)內(nèi)壁固定連接的彈簧(352)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述限位塊(351)遠(yuǎn)離彈簧(352)的一端安裝有密封桿(353)，所述密封桿(353)的一端安裝有和密封槽(38)密封連接的密封墊(354)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種碲化鎘晶體退火裝置，其特征在于，所述安裝座(3)的上外壁開設(shè)有收納槽(37)，所述收納槽(37)的內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位框(36)，所述限位框(36)的下端安裝有兩個(gè)和滑槽(34)內(nèi)壁滑動(dòng)連接的定位桿(361)，所述定位桿(361)的一端和定位塊(35)的斜面滑動(dòng)連接。

說明書

技術(shù)領(lǐng)域

[0001]本發(fā)明涉及退火裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種碲化鎘晶體退火裝置。

背景技術(shù)

[0002]碲化鎘作為一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型。具有直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)0.6481nm，禁帶寬度1.5eV(25℃)，室溫電子遷移率1050Cm2/(V s)，室溫空穴遷移率80Cm2/(V s)，電子有效質(zhì)量0.096。

[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，碲化鎘晶體在生長(zhǎng)過程中容易出現(xiàn)組分不均勻、Cd空位、Te沉淀相以及結(jié)構(gòu)性能缺陷等問題，這些缺陷嚴(yán)重影響了碲化鎘晶體的電學(xué)性能，進(jìn)而對(duì)基于碲化鎘晶體的光子 CT 探測(cè)器等設(shè)備的效率產(chǎn)生不利影響;然而，傳統(tǒng)的退火裝置無法有效地抑制退火過程中產(chǎn)生的新空位缺陷，也不能很好地解決晶體組分不均勻的問題，進(jìn)而影響后續(xù)碲化鎘晶體的質(zhì)量，同時(shí)碲化鎘晶體在退火前后需要通過人工對(duì)晶體進(jìn)行上下料效率較低。如何發(fā)明一種碲化鎘晶體退火裝置來解決這些問題，成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

[0004]為了彌補(bǔ)以上不足，本發(fā)明提供了一種碲化鎘晶體退火裝置，旨在解決傳統(tǒng)的退火裝置無法有效地抑制退火過程中產(chǎn)生的新空位缺陷，也不能很好地解決晶體組分不均勻的問題，進(jìn)而影響后續(xù)碲化鎘晶體的質(zhì)量的問題。

[0005]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明提供一種碲化鎘晶體退火裝置，包括退火爐和設(shè)置在退火爐中的上料組件，所述退火爐的兩端開口處的內(nèi)壁安裝有外密封圈，所述退火爐的上方兩內(nèi)壁分別安裝有真空管和氬氣管，所述退火爐的內(nèi)部安裝有電熱絲，所述退火爐的兩端內(nèi)側(cè)壁卡設(shè)有定位槽，所述定位槽的內(nèi)壁安裝有內(nèi)密封圈，所述退火爐的底部安裝有固定座，所述固定座的兩端分別安裝有螺桿和導(dǎo)向桿，所述固定座一端靠近螺桿的側(cè)壁安裝有電機(jī);

所述上料組件包括安裝座、第一固定桿、外密封板、第二固定桿和內(nèi)密封板，所述安裝座的兩側(cè)壁分別和第一固定桿及第二固定桿固定連接，所述內(nèi)密封板和另一個(gè)上料組件的第二固定桿的一端固定連接，兩個(gè)所述上料組件公用同個(gè)內(nèi)密封板，所述安裝座的上方開設(shè)有三個(gè)凹槽，所述外密封板的側(cè)壁安裝有對(duì)稱的滑塊，其中一個(gè)所述滑塊的內(nèi)壁和螺桿的外壁螺紋連接，另一個(gè)所述滑塊的內(nèi)壁和導(dǎo)向桿的外壁滑動(dòng)連接。

[0006]優(yōu)選的，所述真空管和氬氣管的管道一端分別安裝有閥門，所述真空管外接真空泵。

[0007]優(yōu)選的，所述螺桿的兩端分別和兩個(gè)上料組件中外密封板外側(cè)滑塊的內(nèi)壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述螺桿的一端和電機(jī)的輸出端固定連接。

[0008]優(yōu)選的，兩個(gè)所述外密封板的一側(cè)外壁分別和退火爐兩端外側(cè)壁中的外密封圈密封連接，所述內(nèi)密封板的外壁和內(nèi)密封圈的外壁密封連接。

[0009]通過采用上述技術(shù)方案，退火前將碲化鎘晶體放置在安裝座上，同時(shí)將氯化鉻、銦和鋁固體顆粒分別放置在凹槽中，實(shí)現(xiàn)退火爐退火完成后碲化鎘晶體的下料，同時(shí)對(duì)未退火的碲化鎘進(jìn)行上料，在退火的過程中可對(duì)后續(xù)的碲化鎘晶體放置在安裝座上等待后續(xù)的上料，提高退火過程的連續(xù)性，進(jìn)而提高退火的效率，以及碲化鎘晶體在進(jìn)入和推出退火爐的過程中由電機(jī)進(jìn)行控制，解決了需要人工對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行上下料的操作，避免操作人員離爐體過近被高溫造成燙傷，提高操作過程的安全性。

[0010]優(yōu)選的，兩個(gè)所述外密封板的一側(cè)外壁開設(shè)有兩組對(duì)稱的密封槽，所述密封槽的一側(cè)開設(shè)有穿透的通槽，所述固定座的兩側(cè)內(nèi)壁安裝有兩組和通槽內(nèi)壁滑動(dòng)連接的滑桿。

[0011]優(yōu)選的，所述安裝座的兩側(cè)外壁開設(shè)有對(duì)稱的滑槽，所述滑槽的內(nèi)壁開設(shè)有限位槽。

[0012]優(yōu)選的，所述滑槽的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有定位塊，所述定位塊的上端開設(shè)斜面，所述定位塊的底端安裝有和限位槽內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位塊，所述限位塊的一端安裝有和滑槽內(nèi)壁固定連接的彈簧。

[0013]優(yōu)選的，所述限位塊遠(yuǎn)離彈簧的一端安裝有密封桿，所述密封桿的一端安裝有和密封槽密封連接的密封墊。

[0014]優(yōu)選的，所述安裝座的上外壁開設(shè)有收納槽，所述收納槽的內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位框，所述限位框的下端安裝有兩個(gè)和滑槽內(nèi)壁滑動(dòng)連接的定位桿，所述定位桿的一端和定位塊的斜面滑動(dòng)連接。

[0015]通過采用上述技術(shù)方案，在對(duì)退火后的晶體進(jìn)行下料的過程中，當(dāng)安裝座的一側(cè)接近固定座一側(cè)的滑桿時(shí)，滑桿穿過通槽并和密封墊進(jìn)行抵接，此時(shí)安裝座繼續(xù)移動(dòng)使密封墊和密封桿抵住一端的定位塊進(jìn)行固定，同時(shí)密封墊脫離對(duì)密封槽的密封，在這過程中彈簧被擠壓而安裝座兩側(cè)的定位桿在重力作用下沿著定位塊的斜面緩慢的向下進(jìn)行移動(dòng)，并在外密封板和固定座一側(cè)內(nèi)壁接觸，此時(shí)限位框進(jìn)入收納槽中，解除對(duì)碲化鎘晶體的限位，可以快速的對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行取出，并在后續(xù)重新進(jìn)入爐體進(jìn)行退火的過程中限位框進(jìn)行上移對(duì)其進(jìn)行限位，舍棄人工實(shí)現(xiàn)對(duì)碲化鎘晶體快速固定，進(jìn)一步提高碲化鎘上下料的速度，保證后續(xù)退火的效率。

[0016]本發(fā)明的有益效果是：

在碲化鎘退火過程中通過氬氣降低鎘的生化動(dòng)力學(xué)，抑制形成新的空位缺陷，使晶體結(jié)構(gòu)能保持相對(duì)更好的完整性，同時(shí)添加的氯化鉻、銦和鋁在加熱過程中氣化與晶體中的相關(guān)元素發(fā)生相互作用，促使晶體內(nèi)部各元素的分布更加均勻，設(shè)置的兩組安裝座在對(duì)退火完成后的晶體進(jìn)行上料的同時(shí)，對(duì)后續(xù)準(zhǔn)備退火的晶體進(jìn)行上料，提高退火過程的連續(xù)性，進(jìn)而提高退火的效率;

碲化鎘晶體在進(jìn)入和推出退火爐的過程中由電機(jī)進(jìn)行控制，解決了需要人工對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行上下料的操作，避免操作人員離爐體過近被高溫造成燙傷，提高操作過程的安全性，以及設(shè)置的限位框在上料的過程中對(duì)進(jìn)入爐體中的晶體進(jìn)行限位固定，同時(shí)對(duì)下料后的晶體解除固定，舍棄人工實(shí)現(xiàn)對(duì)碲化鎘晶體快速固定，進(jìn)一步提高碲化鎘上下料的速度，保證后續(xù)退火的效率。

附圖說明

[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施方式的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置局部結(jié)構(gòu)剖視圖;

圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置圖2中A區(qū)域結(jié)構(gòu)放大圖;

圖4是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置結(jié)構(gòu)半剖圖;

圖5是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置圖4中B區(qū)域結(jié)構(gòu)放大圖;

圖6是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火裝置圖4中C區(qū)域結(jié)構(gòu)放大圖;

圖7是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種碲化鎘晶體退火工藝數(shù)據(jù)表。

[0019]圖中：1、退火爐;11、真空管;12、氬氣管;13、固定座;131、滑桿;14、電機(jī);15、螺桿;16、導(dǎo)向桿;17、電熱絲;18、定位槽;2、外密封圈;21、內(nèi)密封圈;3、安裝座;31、凹槽;32、第一固定桿;321、外密封板;322、滑塊;33、第二固定桿;331、內(nèi)密封板;34、滑槽;341、限位槽;35、定位塊;351、限位塊;352、彈簧;353、密封桿;354、密封墊;36、限位框;361、定位桿;37、收納槽;38、密封槽;381、通槽。

具體實(shí)施方式

[0020]為使本發(fā)明實(shí)施方式的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式是本發(fā)明一部分實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式。基于本發(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

[0021]實(shí)施例,參照?qǐng)D1-圖7，一種碲化鎘晶體退火裝置，包括退火爐1和設(shè)置在退火爐1中的上料組件，退火爐1的兩端開口處的內(nèi)壁安裝有外密封圈2，退火爐1的上方兩內(nèi)壁分別安裝有真空管11和氬氣管12，退火爐1的內(nèi)部安裝有電熱絲17，退火爐1的兩端內(nèi)側(cè)壁卡設(shè)有定位槽18，定位槽18的內(nèi)壁安裝有內(nèi)密封圈21，退火爐1的底部安裝有固定座13，固定座13的兩端分別安裝有螺桿15和導(dǎo)向桿16，固定座13一端靠近螺桿15的側(cè)壁安裝有電機(jī)14;

上料組件包括安裝座3、第一固定桿32、外密封板321、第二固定桿33和內(nèi)密封板331，安裝座3的兩側(cè)壁分別和第一固定桿32及第二固定桿33固定連接，內(nèi)密封板331和另一個(gè)上料組件的第二固定桿33的一端固定連接，兩個(gè)上料組件公用同個(gè)內(nèi)密封板331，安裝座3的上方開設(shè)有三個(gè)凹槽31，外密封板321的側(cè)壁安裝有對(duì)稱的滑塊322，其中一個(gè)滑塊322的內(nèi)壁和螺桿15的外壁螺紋連接，另一個(gè)滑塊322的內(nèi)壁和導(dǎo)向桿16的外壁滑動(dòng)連接。

[0022]進(jìn)一步地;真空管11和氬氣管12的管道一端分別安裝有閥門，真空管11外接真空泵，螺桿15的兩端分別和兩個(gè)上料組件中外密封板321外側(cè)滑塊322的內(nèi)壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接，螺桿15的一端和電機(jī)14的輸出端固定連接，兩個(gè)外密封板321的一側(cè)外壁分別和退火爐1兩端外側(cè)壁中的外密封圈2密封連接，內(nèi)密封板331的外壁和內(nèi)密封圈21的外壁密封連接。

[0023]需要說明的是：

在退火之前通過真空管11對(duì)退火爐1進(jìn)行抽真空，并在退火過程中通過氬氣管對(duì)爐體通入氬氣形成正壓，在氬氣壓力下進(jìn)行退火，降低鎘的生化動(dòng)力學(xué)，意味著鎘原子從晶體表面脫離變成氣態(tài)原子的難度增加了，原本在退火過程中容易因鎘原子升華而出現(xiàn)的空位就不容易形成了，從而有效抑制了新空位缺陷的產(chǎn)生，使晶體結(jié)構(gòu)能保持相對(duì)更好的完整性，同時(shí)碲化鎘晶體在生長(zhǎng)過程中會(huì)出現(xiàn)的碲和鎘析出導(dǎo)致組分不均勻，通過加入的氯化鉻、銦和鋁在加熱過程中氣化對(duì)其補(bǔ)償，與晶體中的相關(guān)元素發(fā)生相互作用，促使晶體內(nèi)部各元素的分布更加均勻，從而改善因元素析出造成的組分不均勻現(xiàn)象，讓晶體在化學(xué)成分方面更加接近理想狀態(tài)，該最終可以使碲化鎘晶體電阻率從108Ω·cm提高到1010Ω·cm，提高退火后碲化鎘晶體的質(zhì)量;

退火前將碲化鎘晶體放置在安裝座3上，同時(shí)將氯化鉻、銦和鋁固體顆粒分別放置在凹槽31中，通過電機(jī)14驅(qū)動(dòng)螺桿15進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使一側(cè)的安裝座3移動(dòng)至退火爐1中，同時(shí)另一側(cè)的安裝座3在移出退火爐1，在這過程中靠近一側(cè)的外密封板321脫離和退火爐1一側(cè)的密封固定，同時(shí)內(nèi)密封板331脫離和退火爐1一側(cè)內(nèi)壁定位槽18的固定，移動(dòng)至和退火爐1另一側(cè)內(nèi)壁中的定位槽18進(jìn)行密封固定，同時(shí)一端的另一個(gè)外密封板321和退火爐1的另一端外壁進(jìn)行密封固定，從而實(shí)現(xiàn)退火爐1退火完成后碲化鎘晶體的下料，同時(shí)對(duì)未退火的碲化鎘進(jìn)行上料，在退火的過程中可對(duì)后續(xù)的碲化鎘晶體放置在安裝座3上等待后續(xù)的上料，提高退火過程的連續(xù)性，進(jìn)而提高退火的效率，以及碲化鎘晶體在進(jìn)入和推出退火爐1的過程中由電機(jī)14進(jìn)行控制，解決了需要人工對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行上下料的操作，避免操作人員離爐體過近被高溫造成燙傷，提高操作過程的安全性。

[0024]進(jìn)一步地;兩個(gè)外密封板321的一側(cè)外壁開設(shè)有兩組對(duì)稱的密封槽38，密封槽38的一側(cè)開設(shè)有穿透的通槽381，固定座13的兩側(cè)內(nèi)壁安裝有兩組和通槽381內(nèi)壁滑動(dòng)連接的滑桿131，安裝座3的兩側(cè)外壁開設(shè)有對(duì)稱的滑槽34，滑槽34的內(nèi)壁開設(shè)有限位槽341，滑槽34的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有定位塊35，定位塊35的上端開設(shè)斜面，定位塊35的底端安裝有和限位槽341內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位塊351，限位塊351的一端安裝有和滑槽34內(nèi)壁固定連接的彈簧352，限位塊351遠(yuǎn)離彈簧352的一端安裝有密封桿353，密封桿353的一端安裝有和密封槽38密封連接的密封墊354，安裝座3的上外壁開設(shè)有收納槽37，收納槽37的內(nèi)壁滑動(dòng)連接的限位框36，限位框36的下端安裝有兩個(gè)和滑槽34內(nèi)壁滑動(dòng)連接的定位桿361，定位桿361的一端和定位塊35的斜面滑動(dòng)連接。

[0025]需要說明的是：在對(duì)退火后的晶體進(jìn)行下料的過程中，爐體內(nèi)部的安裝座3向一側(cè)進(jìn)行移動(dòng)，此時(shí)安裝座3兩側(cè)密封桿353一端的密封墊354在彈簧352的作用下緊緊的抵在密封槽38中保證外密封板321的密封，避免在退火過程中造成退火爐1中的氣體泄露，當(dāng)安裝座3的一側(cè)接近固定座13一側(cè)的滑桿131時(shí)，滑桿131穿過通槽381并和密封墊354進(jìn)行抵接，此時(shí)安裝座3繼續(xù)移動(dòng)使密封墊354和密封桿353抵住一端的定位塊35進(jìn)行固定，同時(shí)密封墊354脫離對(duì)密封槽38的密封，在這過程中彈簧352被擠壓而安裝座3兩側(cè)的定位桿361在重力作用下沿著定位塊35的斜面緩慢的向下進(jìn)行移動(dòng)，并在外密封板321和固定座13一側(cè)內(nèi)壁接觸，此時(shí)限位框36進(jìn)入收納槽37中，解除對(duì)碲化鎘晶體的限位，可以快速的對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行取出，并在后續(xù)重新進(jìn)入爐體進(jìn)行退火的過程中限位框36進(jìn)行上移對(duì)其進(jìn)行限位，舍棄人工實(shí)現(xiàn)對(duì)碲化鎘晶體快速固定，進(jìn)一步提高碲化鎘上下料的速度，保證后續(xù)退火的效率。

[0026]該一種碲化鎘晶體退火裝置的工作原理：

退火前將碲化鎘晶體放置在安裝座3上，同時(shí)將氯化鉻、銦和鋁固體顆粒分別放置在凹槽31中，通過電機(jī)14驅(qū)動(dòng)螺桿15進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使一側(cè)的安裝座3移動(dòng)至退火爐1中，同時(shí)另一側(cè)的安裝座3在移出退火爐1，在這過程中靠近一側(cè)的外密封板321脫離和退火爐1一側(cè)的密封固定，同時(shí)內(nèi)密封板331脫離和退火爐1一側(cè)內(nèi)壁定位槽18的固定，移動(dòng)至和退火爐1另一側(cè)內(nèi)壁中的定位槽18進(jìn)行密封固定，同時(shí)一端的另一個(gè)外密封板321和退火爐1的另一端外壁進(jìn)行密封固定，從而實(shí)現(xiàn)退火爐1退火完成后碲化鎘晶體的下料，同時(shí)對(duì)未退火的碲化鎘進(jìn)行上料，在退火的過程中可對(duì)后續(xù)的碲化鎘晶體放置在安裝座3上等待后續(xù)的上料，提高退火過程的連續(xù)性，進(jìn)而提高退火的效率，以及碲化鎘晶體在進(jìn)入和推出退火爐1的過程中由電機(jī)14進(jìn)行控制，解決了需要人工對(duì)碲化鎘晶體進(jìn)行上下料的操作，避免操作人員離爐體過近被高溫造成燙傷，提高操作過程的安全性。

[0027]需要說明的是，電機(jī)具體的型號(hào)規(guī)格需根據(jù)該裝置的實(shí)際規(guī)格等進(jìn)行選型確定，具體選型計(jì)算方法采用本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)，故不再詳細(xì)贅述。

[0028]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

說明書附圖(7)