本發(fā)明提出了一種壓電性氧化物單晶基板的制造方法,包括:制備富鋰多晶粉體,將
碳酸鋰和金屬氧化物混合,進行高溫固相反應后,破碎,制備富鋰多晶粉體,金屬氧化物中的金屬元素與壓電性氧化物單晶基板中的金屬元素相同,富鋰多晶粉體中的鋰與金屬具有第一化學計量比,壓電性氧化物單晶基板中的鋰與金屬具有第二化學計量比;制備還原片,將富鋰多晶粉體與還原性粉體按照預置的比例混合,壓片制備第一還原片和第二還原片;還原處理,將第一還原片、壓電性氧化物單晶基板、第二還原片依次安放在支架上,高溫還原處理預置時間后生成表面為偽化學計量組成的壓電性氧化物單晶基板。由此,能夠維持壓電性氧化物單晶基板的極化構造,提高基板的壓電性。
聲明:
“壓電性氧化物單晶基板的制造方法、SAW濾波器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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