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聲表面波器件用壓電晶片及其制備方法

659   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:00:32
本發(fā)明涉及一種用于聲表面波(SAW)器件的壓電晶片及其制備方法。本發(fā)明提供了一種壓電晶片,其表層為具有近化學(xué)計(jì)量比結(jié)構(gòu)的富鋰層+還原層、厚度為幾微米至幾十微米,第二層為熱釋電效應(yīng)弱的還原層,第三層為晶片基底層。為了實(shí)現(xiàn)上述多層結(jié)構(gòu),本發(fā)明提供了一種通過氣相平衡運(yùn)輸方式(VTE)對經(jīng)過還原處理的鈮酸鋰、鉭酸鋰晶片(還原片)進(jìn)行富鋰化的方法,使鋰離子占據(jù)晶片表層中的鋰空位。同時本發(fā)明還提供了一種通過優(yōu)化絲網(wǎng)印刷碳酸鋰粉工藝,對經(jīng)過VTE處理的表層富鋰化的鈮酸鋰、鉭酸鋰晶片進(jìn)行還原處理的方法。最終通過上述方法實(shí)現(xiàn)了具有表層晶格缺陷少、熱釋電效應(yīng)弱的鈮酸鋰、鉭酸鋰多層結(jié)構(gòu)的壓電晶片。
聲明:
“聲表面波器件用壓電晶片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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