本實(shí)用新型涉及一種適用于鋰電池充放電保護(hù)用的新型開關(guān)芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在N?外延內(nèi)設(shè)置有溝槽，溝槽內(nèi)壁設(shè)置有氧化層，氧化層內(nèi)填充有多晶硅，多晶硅上方設(shè)置有厚氧化層，厚氧化層上方設(shè)置有正面金屬層，相鄰兩個(gè)溝槽之間的N?外延表面下方設(shè)置有N+源區(qū)，N+源區(qū)與正面金屬層相連，N+襯底底部設(shè)置有背面金屬層。厚氧化層設(shè)置在N?外延表面上方，相連兩個(gè)溝槽之間的厚氧化層上設(shè)置有接觸孔，正面金屬層與N+源區(qū)通過接觸孔相連接；或厚氧化層設(shè)置在溝槽內(nèi)且在多晶硅的上方，厚氧化層的上表面與N?外延表面持平，正面金屬層與N+源區(qū)接觸連接。本實(shí)用新型能夠有效降低保護(hù)線路成本，降低開關(guān)的內(nèi)阻，提高充放電效率，具有較強(qiáng)的實(shí)用性。