本發(fā)明公開(kāi)了Si@void@C嵌入三維多孔碳網(wǎng)
負(fù)極材料及其制備與應(yīng)用。本發(fā)明我們以商業(yè)化的納米硅粒子為研究體系,采用光敏化聚合苯乙烯~硅納米離子乳液、高溫煅燒熱處理與水熱相結(jié)合的方式控制合成核殼結(jié)構(gòu)Si@void@C嵌入三維多孔碳網(wǎng)的
復(fù)合材料。通過(guò)紫外光照射聚合苯乙烯,形成聚苯乙烯,高溫?zé)峤庑纬商荚矗铣晒に嚭?jiǎn)單、綠色,苯乙烯單體價(jià)格低廉。本發(fā)明避免了以往核殼結(jié)構(gòu)Si@void@C研究工作中涉及的繁復(fù)模板引入及其腐蝕性HF對(duì)環(huán)境的破壞,有效地提升了Si納米粉體的循環(huán)比容量與穩(wěn)定性,降低了材料成本,有望實(shí)現(xiàn)商業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“Si@void@C嵌入三維多孔碳網(wǎng)負(fù)極材料及其制備與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)