一種原位生長
碳納米管增強銀基電接觸材料的制備方法,本發(fā)明涉及電接觸材料的制備方法。本發(fā)明要解決常用的CNTs/Ag
復合材料制備方法存在著碳納米管分散不均勻、結構缺陷多的技術問題。方法:一、制備Ni(NO3)2/Ag復合粉末;二、采用離子體方法制備電接觸材料。本發(fā)明采用等離子體增強化學氣相沉積方法低溫原位生長碳納米管,保證了銀粉末中碳納米管的結構完美和均勻分散性,避免了CNTs/Ag基電接觸復合粉末中碳納米管的團聚,真正意義上實現(xiàn)了碳納米管對CNTs/Ag基電接觸復合粉末性能的改善。本發(fā)明用于制備原位生長碳納米管增強銀基電接觸材料。
聲明:
“原位生長碳納米管增強銀基電接觸材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)