本發(fā)明涉及到一種基于多鐵性薄膜的磁記錄介質(zhì),包括基片和生長在基片上的介質(zhì)層,其特征在于所述的介質(zhì)層包括有由鐵電材料構(gòu)成的鐵電結(jié)構(gòu)單元和由鐵磁材料構(gòu)成的鐵磁結(jié)構(gòu)單元。其寫入方法為:信號源產(chǎn)生的電信號施加于鐵電結(jié)構(gòu)單元兩端,信號源產(chǎn)生的脈沖電壓信號改變鐵電層的極化狀態(tài),通過磁電耦合效應(yīng),電極化狀態(tài)的改變會進(jìn)一步改變鐵磁結(jié)構(gòu)單元中的磁化方向,從而記錄下電信號的狀態(tài),完成信息的存儲。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明在傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)的基礎(chǔ)上,提出了一種新型的多鐵性
復(fù)合材料的磁記錄介質(zhì),并給出了多種記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu);這種以多鐵性材料為記錄的介質(zhì),可以實現(xiàn)電寫入的磁記錄方法,這對于高密度存儲、新型多功能器件而言,都具有很大的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于多鐵性薄膜的磁記錄介質(zhì)及其寫入方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)