本發(fā)明公開了一種聚酰亞胺包覆氧化鎂/聚丙烯納米電介質(zhì)薄膜的制備方法，首先，利用雙氧水給納米粒子表面引入大量的羥基，為硅烷偶聯(lián)劑創(chuàng)造接枝點，利用KH550末端的氨基基團、PMDA和ODA的聚合反應(yīng)得到聚酰亞胺前驅(qū)體。經(jīng)過升溫促進熱酰亞胺化即可得到聚酰亞胺包覆的氧化鎂粒子。摻雜聚酰亞胺包覆氧化鎂納米粒子的聚丙烯復(fù)合材料，能夠顯著提升擊穿場強。因為聚酰亞胺的介電常數(shù)位于氧化鎂和聚丙烯之間，所以聚酰亞胺殼層可以起到減緩氧化鎂粒子與聚丙烯之間的電場畸變，減少泄漏電流從而提高高溫下?lián)舸┬阅芎?a href="http://m.189000b.com/news_show-3260.html" target="_blank">儲能性能，克服純聚丙烯高溫下性能大幅劣化的弊端。