本發(fā)明公開了一種相變存儲(chǔ)器(PCM)單元,其可以包括PCM層。第一電極和第二電極設(shè)置在所述PCM層的相對(duì)側(cè)上。第一電極、第二電極或兩者包括設(shè)置在上阻擋層和下阻擋層之間的金屬陶瓷
復(fù)合材料層,并且其中,所述金屬陶瓷復(fù)合材料層提供具有10mOhm?cm到1000mOhm?cm的電阻率的對(duì)應(yīng)電極。
聲明:
“相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)和器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)