本發(fā)明公開一種電容構(gòu)造及其制作方法，所述電容構(gòu)造包含一第一金屬層、一鉭金屬層、一復(fù)合材料層及一第二金屬層。所述鉭金屬層設(shè)于所述第一金屬層上；所述復(fù)合材料層設(shè)于所述鉭金屬層上；以及所述第二金屬層設(shè)于所述復(fù)合材料層上。所述復(fù)合材料層包含五氧化二鉭基材，并摻雜有二氧化鈦復(fù)合材料顆粒。本發(fā)明通過一陽極氧化處理使所述鉭金屬層上形成一鉭金屬氧化層，再利用一鈦塩溶液以及通過一加熱過程形成所述復(fù)合材料層，以作為所述電容構(gòu)造的介電材料層。相較現(xiàn)有干式制造方法使用沉積工藝需要較長的沉積時間及較高的設(shè)備與制造成本，本發(fā)明的濕式制造方法可節(jié)省電容的制作時間及降低成本，且能相對提升電容構(gòu)造的電性表現(xiàn)。