本發(fā)明公開了一種用于光電探測的
復合材料制備方法,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在
石墨烯薄膜上引入了氧化鋅量子點,用于制造促進晶核生長的缺陷,有助于硫化鉛薄膜的沉積。同時氧化鋅作為寬禁帶
半導體材料具有優(yōu)異的透光性與電學性,形成的異質(zhì)結(jié)可以有效提高光電探測的增益與響應(yīng)度。
聲明:
“用于光電探測的復合材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)