本發(fā)明涉及一種Cu2Se基熱電
復(fù)合材料及其制備方法,所述Cu2Se基熱電復(fù)合材料包括:Cu2Se基質(zhì),以及分散于Cu2Se基質(zhì)中的SiC晶須;所述SiC晶須的質(zhì)量含量不超過2wt%。
聲明:
“Cu2Se基熱電復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)