本發(fā)明公開了一種Al₂O₃包覆δ?MnO₂納米片陣列復(fù)合材料及其制備方法。所述方法按KMnO₄與KF的摩爾比為1：2～6，將KMnO₄溶液和KF溶液混合，用稀H₂SO₄調(diào)節(jié)pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)制得δ?MnO₂納米片陣列，然后在80℃～300℃下，以三甲基鋁和水為前驅(qū)體通過原子層沉積在δ?MnO₂納米片上沉積AI₂O₃薄膜，得到Al₂O₃包覆δ?MnO₂納米片陣列復(fù)合材料。本發(fā)明在不破壞材料原有結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在材料表面沉積幾個納米厚度的保護(hù)層，提高離子傳輸能力的同時抑制了水解，使得材料的電位窗口得以擴(kuò)寬，并因此提高了可逆容量，倍率性能以及循環(huán)穩(wěn)定性。