本發(fā)明公開了一種多孔硅基氧化鎢薄膜
復合材料氣敏傳感器及其制備方法和應用,由多孔硅基底、Pt膜電極、多孔硅基氧化鎢敏感層和其上的方形的Pt電極組成,所述的多孔硅基氧化鎢敏感層由多孔硅層和恒電位
電化學沉積在其上的氧化鎢(WO
3)薄膜組成。本發(fā)明通過在多孔硅基底制備歐姆接觸電極,然后利用電化學法在多孔硅上原位生長WO
3顆粒薄膜的方法較為簡單,所需控制的工藝條件較少,成本低廉;制備出的多孔硅基氧化鎢薄膜復合材料氣敏傳感器可在室溫下探測低濃度二氧化氮氣體,具有靈敏度較高、響應/恢復性能較好、選擇性和重復性好的特點。
聲明:
“多孔硅基氧化鎢薄膜復合材料氣敏傳感器及其制備方法和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)