2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種三元層狀碳化物Mo2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及制備方法和應(yīng)用。所述復(fù)合材料以花狀MoS2納米顆粒作為復(fù)合物,三元層狀碳化物Mo2Ga2C作為搭載基底材料;所述三元層狀碳化物Mo2Ga2C的長(zhǎng)約為5μm,寬約為3μm,為一種六方晶相的層狀物骨架材料,其中兩個(gè)Ga層以簡(jiǎn)單的六角形排列堆疊在Mo2C層之間。密堆積的Mo原子與雙層Ga交錯(cuò),形成Mo?Mo?Ga?Ga?Mo?Mo分層,其中兩個(gè)Ga層正好位于彼此的頂部(不是緊密堆積)。">

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三元層狀碳化物Mo2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用

999   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:59:02
本發(fā)明公開了一種三元層狀碳化物Mo2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及制備方法和應(yīng)用。所述復(fù)合材料以花狀MoS2納米顆粒作為復(fù)合物,三元層狀碳化物Mo2Ga2C作為搭載基底材料;所述三元層狀碳化物Mo2Ga2C的長(zhǎng)約為5μm,寬約為3μm,為一種六方晶相的層狀物骨架材料,其中兩個(gè)Ga層以簡(jiǎn)單的六角形排列堆疊在Mo2C層之間。密堆積的Mo原子與雙層Ga交錯(cuò),形成Mo?Mo?Ga?Ga?Mo?Mo分層,其中兩個(gè)Ga層正好位于彼此的頂部(不是緊密堆積)。碳原子占據(jù)Mo原子之間的八面體位點(diǎn)。所述花狀MoS2納米顆粒均勻分布在層狀Mo2Ga2C的表面,形成穩(wěn)定的搭載結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了所述復(fù)合材料的制備方法,所述制備方法成本低,制備條件簡(jiǎn)單,重復(fù)性高。本發(fā)明還提供了所述納米材料作為水裂解催化電極方面的應(yīng)用,所述電極材料具有導(dǎo)電性高,循環(huán)穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“三元層狀碳化物Mo2Ga2C復(fù)合花狀MoS2納米顆粒復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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