SiQDs?MoS2/rGO復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明涉及二硫化鉬石墨烯復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的純MoS2作為電極材料時(shí)電容量低的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明的SiQDs?MoS2/rGO復(fù)合材料，是以還原氧化石墨烯為網(wǎng)狀支撐體，以硅量子點(diǎn)復(fù)合二硫化鉬的納米花球?yàn)榉稚⒉牧系膹?fù)合體，納米花球嵌在還原氧化石墨烯的片層間。制法：一、硅量子點(diǎn)的合成；二、制備氧化石墨烯分散液；三、SiQDs?MoS2/rGO復(fù)合材料的制備。在0.5A/g的電流密度下，比電容達(dá)到924.7F/g，當(dāng)電流密度升高到10A/g時(shí)，比電容仍然能夠保持512.7F/g?？捎米饔诔?jí)電容器的電極材料。