一種聚合物裂解-反應(yīng)熱壓制備納米SiC顆粒增強(qiáng)MoSi2基
復(fù)合材料的方法,包括以下步驟:將聚碳
硅烷溶于正己烷或甲苯溶劑,加入Si粉,混合均勻后,加熱揮發(fā)除去有機(jī)溶劑;將表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性氣氛中裂解,最高裂解溫度1000~1350℃,升溫速度0.5~10℃/min;測(cè)定復(fù)合粉末的碳與硅的含量,得出復(fù)合粉末中SiC和Si的量,按摩爾比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉,混合,反應(yīng)熱壓制備;熱壓工藝為:升溫速度20~100℃/min,熱壓溫度1450~1700℃,壓力20~50MPa,保溫30~120min,真空或惰性氣體保護(hù)。本發(fā)明材料經(jīng)XRD檢測(cè)表明,僅含MoSi2和SiC兩相。本發(fā)明材料是在不降低MoSi2抗高溫氧化性前提下,最大限度地改善了MoSi2基復(fù)合材料的室溫和高溫力學(xué)性能。
聲明:
“聚合物裂解-反應(yīng)熱壓制備納米SiC顆粒增強(qiáng)MoSi2基復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)