2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法,復(fù)合材料"> 2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法,一種SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法,它涉及高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法。它是要解決現(xiàn)有的吸波材料制備工藝復(fù)雜、吸波范圍較窄、無屏蔽效應(yīng)的技術(shù)問題。本發(fā)明的吸波復(fù)合材料是以SiC為核,核外包覆SiO2層,在SiO2層上粘附著鐵氧體粒子。制法:一、碳化硅表面預(yù)處理;二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO2;三、SiC@SiO2經(jīng)敏化、活化后,在堿液中與制備鐵氧體的鹽、強(qiáng)還原劑進(jìn)行反應(yīng),然后再焙燒,得到SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)">

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SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法

1027   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:38:02
一種SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法,它涉及高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法。它是要解決現(xiàn)有的吸波材料制備工藝復(fù)雜、吸波范圍較窄、無屏蔽效應(yīng)的技術(shù)問題。本發(fā)明的吸波復(fù)合材料是以SiC為核,核外包覆SiO2層,在SiO2層上粘附著鐵氧體粒子。制法:一、碳化硅表面預(yù)處理;二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO2;三、SiC@SiO2經(jīng)敏化、活化后,在堿液中與制備鐵氧體的鹽、強(qiáng)還原劑進(jìn)行反應(yīng),然后再焙燒,得到SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料。本材料在8~12GHz波段和Ku波段的反射損耗均低于?5dB,最大反射損耗達(dá)到?14dB,可用于吸波材料領(lǐng)域。
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“SiC@SiO2@鐵氧體高溫吸波復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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