本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種具有光電二極管效應(yīng)的雙鈣鈦礦薄膜器件及其制備方法和應(yīng)用，該器件是在硅片上先旋涂LaNiO₃或La_0.7Sr_0.3MnO₃前驅(qū)體溶液，得到凝膠濕膜，預(yù)退火后重復(fù)旋涂、烘干、熱解和預(yù)退火過程，在750～800℃退火，在底電極上旋涂Bi₂FeCrO₆前驅(qū)體溶液，擦拭凝膠濕膜露出部分底電極，預(yù)退火后再重復(fù)旋涂、烘干、熱解和預(yù)退火過程，在750～800℃退火制備Bi₂FeCrO₆薄膜，在其正面鍍上頂電極制得；該薄膜器件結(jié)構(gòu)為頂電級/Bi₂FeCrO₆薄膜/底電極/n?Si基片。該器件結(jié)構(gòu)具有明顯的二極管效應(yīng)，還具有響應(yīng)靈敏，線性變化好，光電轉(zhuǎn)換效率高，抗干擾能力強，體積小，工作壽命長的優(yōu)點。其制備工藝簡單，二極管效應(yīng)良好穩(wěn)定，在光強探測器領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。