一種碘化亞銅晶體的生長(zhǎng)方法,屬于光電子
功能材料技術(shù)領(lǐng)域中的人工晶體和晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其是涉及一種作為超快閃爍晶體材料。該方法使用乙腈為生長(zhǎng)溶劑,在高溫高于40攝氏度以上,利用惰性氣體保護(hù),采用溶劑蒸發(fā)的方法生長(zhǎng)晶體。生長(zhǎng)設(shè)備簡(jiǎn)單、工藝易控制。所生長(zhǎng)出的晶體晶形完整、缺陷少、尺寸較大。生長(zhǎng)的晶體在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像等方面具有很重要的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
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