4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的紅色發(fā)光晶體制備方法,功能材料"> 4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的紅色發(fā)光晶體制備方法,本發(fā)明涉及無(wú)機(jī)功能材料領(lǐng)域,公開(kāi)了一種Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的發(fā)光晶體的制備方法。本發(fā)明所述的Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的發(fā)光晶體的化學(xué)組成為A2MF6@A2MF6:Mn4+;A2MF6:Mn4+為外層基質(zhì)晶體,A2MF6:Mn4+為內(nèi)層發(fā)光晶體;A為Cs或Rb,M為Si、Ge和Ti其中的一種;x為相應(yīng)摻雜Mn4+離子相對(duì)M4+離子所占的摩爾百分比系數(shù),0<x≤0.10。本發(fā)明所涉及的氟化物發(fā)光晶體透光性好,在藍(lán)光激發(fā)下,表現(xiàn)出一系列窄帶發(fā)射">

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Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的紅色發(fā)光晶體制備方法

1259   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:08:02
本發(fā)明涉及無(wú)機(jī)功能材料領(lǐng)域,公開(kāi)了一種Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的發(fā)光晶體的制備方法。本發(fā)明所述的Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的發(fā)光晶體的化學(xué)組成為A2MF6@A2MF6:Mn4+;A2MF6:Mn4+為外層基質(zhì)晶體,A2MF6:Mn4+為內(nèi)層發(fā)光晶體;A為Cs或Rb,M為Si、Ge和Ti其中的一種;x為相應(yīng)摻雜Mn4+離子相對(duì)M4+離子所占的摩爾百分比系數(shù),0<x≤0.10。本發(fā)明所涉及的氟化物發(fā)光晶體透光性好,在藍(lán)光激發(fā)下,表現(xiàn)出一系列窄帶發(fā)射,發(fā)光效率高。
聲明:
“Mn4+摻雜的氟化物同質(zhì)包裹的紅色發(fā)光晶體制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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