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高性能混合型光電探測(cè)器的構(gòu)筑方法及其調(diào)控策略

1061   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:09
本發(fā)明屬于納米材料與器件領(lǐng)域,公開了一種高性能混合型光電探測(cè)器的構(gòu)筑方法及其調(diào)控策略,并具體公開了一種基于全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦納米晶的高性能混合型光電探測(cè)器,包括單層MoS2層以及CsPbX3(X=Cl,Br,I)鈣鈦礦納米晶層,單層MoS2層為2D材料,CsPbX3納米晶層為0D材料,兩者通過(guò)構(gòu)筑范德華異質(zhì)結(jié)進(jìn)行復(fù)合。本發(fā)明通過(guò)對(duì)用于配合單層MoS2形成異質(zhì)結(jié)的關(guān)鍵材料及其自身的特征因素所采用的不同工藝步驟進(jìn)行探索與改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了性能可調(diào)控/優(yōu)化的混合型光電探測(cè)器。從本質(zhì)上講,這是由于鈣鈦礦納米晶層的光俘獲能力和光生載流子在0D鈣鈦礦納米晶/2D單層MoS2異質(zhì)結(jié)界面處的激子分離與電荷轉(zhuǎn)移得到了有效的調(diào)控,從而直接對(duì)混合型光電探測(cè)器的光響應(yīng)性能產(chǎn)生影響。
聲明:
“高性能混合型光電探測(cè)器的構(gòu)筑方法及其調(diào)控策略” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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