用于再利用例如來(lái)自太陽(yáng)能電池晶片或半導(dǎo)體器件制造中的高純硅的剩余物或其它殘留Si的方法,特征在于,來(lái)自晶片生產(chǎn)過(guò)程或半導(dǎo)體器件的干燥的切屑、碎片和/或其它殘留Si與冶金級(jí)硅一起用作生產(chǎn)四氯化硅(SiCl4)的直接氯化反應(yīng)器(1)中的原料。不論其尺寸如何,未反應(yīng)的切屑或其它排出反應(yīng)區(qū)的未反應(yīng)的小顆粒重復(fù)返回反應(yīng)器用于進(jìn)一步氯化。除反應(yīng)器(1)外,方法中所包括的設(shè)備可包括用于混合和儲(chǔ)存Si原料/切屑的儲(chǔ)存和混合裝置(2)、用于分離和回收從反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)排出并通過(guò)返回進(jìn)料裝置(9)被送回反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)的含硅顆粒的回收裝置(3)、在其中從反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)和回收裝置排出的最小尺寸的顆粒被在具有液態(tài)SiCl4的漿液中收集的冷凝單元(10)、和向其中加入額外的來(lái)自晶片生產(chǎn)過(guò)程或半導(dǎo)體器件的切屑、碎片和其它殘留Si并與隨后被直接加入反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)用于冷卻和控溫的已有的SiCl4/Si漿液混合的混合單元(13)。