蜂窩式組合雙電極極片 923     

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蜂窩式組合雙電極極片,涉及一種串聯(lián)式電解槽的氫氧機的電極極片,解決了現(xiàn)有串聯(lián)式電解槽的氫氧機的電極極片采用單一平板式極片結構,存在產氣量低、輸入功率大的缺陷。蜂窩式組合雙電極極片,它包括平板式電極極片,它還包括蜂窩式電極極片,蜂窩式電極極片的一個端面與平板式電極極片的一個端面疊放并通過端面上至少一個點連接,兩個端面之間存在接觸間隙。應用本實用新型所述的蜂窩式組合雙電極極片的氫氧機產氣量高、輸入功率小。本實用新型用于串聯(lián)式電解槽的氫氧機。

帶電磁過濾裝置的機油專用濾油機及濾油方法 1103     

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本發(fā)明涉及一種帶電磁過濾裝置的機油專用濾油機及濾油方法。對機油中的金屬雜質進行過濾時，通常采用永磁鐵過濾裝置實現(xiàn)吸附除雜的目的。為了提高附著力增大永磁鐵的磁性，因長時間工作而附著一定量的金屬雜質后，導致操作人員在對過濾裝置進行清理時費時費力。一種帶電磁過濾裝置的機油專用濾油機，其組成包括：粗濾器（9），所述的粗濾器連接電磁過濾裝置（10），所述的電磁過濾裝置連接多級加熱器（11），所述的多級加熱器連接分水器（12），所述的分水器連接真空裝置（13），所述的真空裝置連接中濾器（14）和雙級真空泵（15），所述的中濾器通過排油泵（16）連接精濾器（17）。本發(fā)明應用于機油過濾。

減肥貼 992     

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一種減肥貼, 包括防粘膜、載體層、防滲圈和藥粒，其中，所述的載體層由兩層無紡布縫制而成，所述的載體層內部有防滲圈和藥粒，所述的載體層一面噴涂膠體，所述的防貼膜覆蓋在所述的載體層噴膠面的表面，所述的藥粒的配方包括半夏100?g、荷葉100?g、茯苓150g、澤瀉150g、牽牛子50g、檳榔50g、大黃150g、枳殼50g、柴胡50g、肉桂50g、冰片5g；該祛濕減肥貼選擇臍中穴給藥，藥物透皮吸收發(fā)揮療效，不但能對單純性肥胖和繼發(fā)性肥胖和因體內水濕中的穢濁物質凝聚引發(fā)的肥胖患者有效地實施減肥，而且能解決因口服給藥胃腸道對有效成份的破壞和肝臟對藥物的"首過效應"和副作用的問題，而且達到了祛除外寒和內火、身體血脈通暢、調節(jié)整個機體功能的有益效果。

多孔陶瓷連接方法 859     

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一種多孔陶瓷連接方法，涉及一種陶瓷連接方法。是要解決現(xiàn)有多孔陶瓷與金屬連接過程中，同時實現(xiàn)潤濕性提高和熱應力緩解時，過程復雜的問題。方法：一、配制酚醛樹脂有機溶液；二、多孔陶瓷熱處理；三、多孔陶瓷連接。本發(fā)明利用多孔陶瓷的表層孔隙結構，使釬料熔滲進入基體內部形成機械咬合與化合鍵相結合的連接結構，不僅可以有效的緩解接頭殘余熱應力，而且增加了界面反應結合區(qū)域，有利于接頭強度的提高。本發(fā)明用于陶瓷和金屬材料連接領域。

基于3D打印技術的微織構硬質合金球頭銑刀制備方法 1055     

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一種基于3D打印技術的微織構硬質合金球頭銑刀制備方法，它涉及一種微織構硬質合金球頭銑刀制備方法，具體涉及一種基于3D打印技術的微織構硬質合金球頭銑刀制備方法。本發(fā)明為了解決。本發(fā)明的具體步驟為：步驟一、制備YG8硬質合金球頭銑刀粉末原料；步驟二、制備有機粘結劑；步驟三、建立球頭銑刀的刀—屑接觸面；步驟四、建立微織構硬質合金球頭銑刀的三維模型；步驟五、通過三維模型打印微織構刀具實體；步驟六、后處理工藝。本發(fā)明屬于刀具加工領域。

基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法 1158     

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基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法，本發(fā)明涉及基于3D成型技術制備多孔SiC陶瓷的方法。本發(fā)明的目的是為了解決目前選擇性激光燒結技術制備多孔SiC陶瓷時，成型件孔隙率低的問題。本發(fā)明方法為：繪制多孔SiC陶瓷的三維模型、設定SLS成型機的參數(shù)、混合SiC粉末、粘結劑粉末和造孔劑、制得陶瓷坯體、進行CIP包套然后冷等靜壓致密化處理，進行脫脂預燒結，再在有氧環(huán)境下進行燒結，即完成。操作簡便，成型速度快，原料利用率高，有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率，最終成型件的孔隙率為70％～80％，且具備一定的強度。本發(fā)明應用于多孔SiC陶瓷的制備領域。

碳纖維表面原位制備硅硼碳氮陶瓷涂層的方法 1120     

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一種碳纖維表面原位制備硅硼碳氮陶瓷涂層的方法，涉及一種碳纖維表面原位制備陶瓷涂層的方法。本發(fā)明是要解決目前碳纖維表面惰性強、表面能低、與基體的界面結合性差、從而影響復合材料的性能的技術問題。本發(fā)明方法：一、碳纖維的氧化處理；二、碳纖維的表面處理；三、碳纖維表面包覆硅硼碳氮陶瓷先驅體；四、高溫裂解。本發(fā)明優(yōu)點：本發(fā)明提高了碳纖維的界面性能，有效的保護碳纖維不受損傷，并且增加了碳纖維的包覆率以及與基體的結合性，有效的改善了界面性能，改善了陶瓷基復合材料的熱學性能。

陶瓷基波紋機翼進氣道前緣板的制備模具及方法 698     

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陶瓷基波紋機翼進氣道前緣板的制備模具及方法，它涉及一種機翼進氣道的前緣板制備模具及方法。以解決現(xiàn)有的現(xiàn)有飛機的進氣道前緣板是“V”形實體板，增加了進氣道前緣的質量，實體板隔熱效果也相對較差，可利用空間小的問題，三角形長條塊與三角形通槽呈間隙設置，五邊形長條塊與三角形通槽呈間隙設置，三角形長條塊與五邊形長條塊呈間隙設置，兩個缺角梯形長條塊、兩個梯形長條塊組及兩個末尾梯形長條塊依次由下至上相互平行設置且關于凸塊對稱放置于三角形通槽內，梯形長條塊組由若干個動梯形長條塊與若干個定梯形長條塊構成，動梯形長條塊的數(shù)量與定梯形長條塊的數(shù)量相一致。本發(fā)明用于機翼進氣道前緣板的制造。

靜電耗散陶瓷材料及其制備方法 1135     

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本發(fā)明涉及一種靜電耗散陶瓷材料及其制備方法。所述靜電耗散陶瓷以氧化鋯或氧化鋁或氧化鋯和氧化鋁的混合物為基體，通過添加適當?shù)奶蓟仦殡娮杪收{節(jié)劑，所用材料為(1)氧化鋯含量70～90％重量百分比，碳化鈦含量10～30％重量百分比；(2)氧化鋁含量70～90％重量百分比，碳化鈦含量10～30％重量百分比；(3)氧化鋯含量20～60％重量百分比，氧化鋁含量20～60％重量百分比；碳化鈦含量10～30％重量百分比。通過混合、成型、燒結后，制成表面電阻率為105～1010Ω/□的靜電耗散陶瓷。該材料可用于制造防靜電電子元件和各種防靜電工具、工裝。

高熱導率高品質氮化硅陶瓷基板及其制備方法 864     

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一種高熱導率高品質氮化硅陶瓷基板及其制備方法，它涉及一種氮化硅陶瓷基板及其制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有方法制備的氮化硅基板的熱導率和力學性能差，且使用放電等離子燒結，其設備及制造成本高昂，難以實現(xiàn)批量化生產的問題。一種高熱導率高品質氮化硅陶瓷基板由氮化硅粉或氮化硅粉和氮化鋁、稀土氧化物、鎂粉、增塑劑和有機溶劑制備而成。方法：一、稱料；二、研磨、混合造粒；三、干壓成型；四、氣壓燒結。本發(fā)明可獲得一種高熱導率高品質氮化硅陶瓷基板。

真空熱壓反應自生鈦基復合材料的制備方法 876     

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真空熱壓反應自生鈦基復合材料的制備方法，它 涉及一種鈦基復合材料的制備方法。本發(fā)明首先將Ti粉和 B4C粉按重量比配好放入罐中， 在罐中再加入鋼球，將罐密封后在行星式球磨機上混合均勻， 將混合好的粉末裝入石墨模具進行冷壓，再進行真空熱壓燒 結，將燒結后的復合材料和擠壓模具分開加熱，復合材料單獨 加熱至800－1400℃，保溫一小時后放入保溫溫度為650℃的 擠壓模具中進行擠壓，擠壓比為16∶1，擠壓成形即可。本發(fā) 明將纖維增強鈦基復合材料的制備工藝和顆粒增強鈦基復合 材料的制備工藝簡化為一體，具有方法簡單、制作容易，制作 的鈦基復合材料更加致密、增強體分布均勻、質量高的優(yōu)點。

含有摻雜劑元素的石墨靶材的制備方法 783     

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一種含有摻雜劑元素的石墨靶材的制備方法，它涉及一種石墨靶材的制備方法。它解決了目前傳統(tǒng)方法制備的石墨靶材產生大量宏觀粒子、降低了作為陰極電弧源所制得的非晶金剛石薄膜的質量以及高壓石墨靶產生的等離子體束強度弱、熔覆效率低、易裂開以及電阻率高的問題。制備：(一)稱取石墨粉末和摻雜劑元素粉末進行球磨；(二)真空干燥混合粉末；(三)抽出塑料橡膠套與鋼性圓筒內壁間的空氣；(四)灌粉；(五)預壓，然后再冷等靜壓；(六)卸壓；(七)燒結；(八)冷卻，即得到含有摻雜劑元素的石墨靶材。本發(fā)明制備出的含有摻雜劑元素的石墨靶材質量密度達2.06g/cm3，內部殘留的氣體少，電弧斑點直徑僅為1～5μm，而且電阻率≤7.8×10－5Ω·cm，所制成的含有摻雜劑元素的石墨靶電弧放電電流穩(wěn)定。

提高晶須增強純鋁基復合材料強度和塑性的方法 1120     

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提高晶須增強純鋁基復合材料強度和塑性的方法,它涉及提高增強純鋁基復合材料強度和塑性的方法。本發(fā)明解決了晶須增強純鋁基復合材料的延伸率低的問題。本發(fā)明方法如下:稱取硼酸鋁晶須和碳納米管,碳納米管純化制成碳納米管懸濁液,然后制成預制塊,再烘干后燒結,澆純鋁二次加壓后隨爐冷卻。本發(fā)明方法制備出的硼酸鋁晶須與碳納米管同時增強的復合材料中Al/ABOw和Al/MWNTs界面平直,沒有發(fā)現(xiàn)界面反應產物,制備過程沒有對晶須或碳納米管產生明顯的損傷。本發(fā)明制備的復合材料的延伸率達到3.69%以上,延伸率比硼酸鋁晶須增強的純鋁復合材料有明顯提高,而且彈性模量、屈服強度和抗拉強度得到進一步的提高。

硅硼碳氮鋯陶瓷復合材料及其制備方法 1087     

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一種硅硼碳氮鋯陶瓷復合材料及其制備方法，本發(fā)明的溶膠凝膠液體以正丙醇鋯、乙酰丙酮和無水乙醇為原料。其中，正丙醇鋯為氧化鋯的先驅體，正丙醇鋯與乙酰丙酮會發(fā)生凝膠反應，乙醇為溶劑；硅粉、石墨和六方氮化硼為硅硼碳氮陶瓷復合粉末的原料。方法：將正丙醇鋯，乙酰丙酮在無水乙醇溶液中磁力攪拌48小時候，形成凝膠溶液，然后將硅硼碳氮陶瓷復合粉末按照一定比例與溶液混合，磁力攪拌48小時后烘干，在管式爐中550℃條件下裂解3小時，得到硅硼碳氮?氧化鋯陶瓷復合材料。將粉末在放電等離子中2000℃加壓燒結，進行原位反應燒結。本發(fā)明所合成的硅硼碳氮鋯陶瓷復合材料界面結合強度高、綜合性能好，特別適于制造航天防熱用核心零部件。

多型腔的真空熱壓燒結模具及其使用方法 776     

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本發(fā)明涉及一種多型腔的真空熱壓燒結模具及其使用方法，該裝置包括推出部件、模套和壓板，每個模套為倒置圓臺型腔體，腔體內裝配由2個型腔半模拼裝成模具型腔，每個模具型腔底設第一墊塊；每個模具型腔內配壓頭，壓板位于壓頭上，燒結后壓板位于取出壓頭后倒置的模具底，模套與壓板之間設第二墊塊，推出部件位于真空熱壓燒結模具的頂部，推出部件包括多個推件塊、固定板和墊板，多個推件塊通過固定板安裝在墊板上，每個模具型腔對應一個推件塊，且每個推件塊直徑與模具型腔的頂端直徑相同。本發(fā)明通過多個模具型腔的設計和推出部件與模具的密切配合來實現(xiàn)坯錠的快速高效脫模，并且通過錐面楔緊力來降低壓頭對模具型腔施加的壓力，提高模具壽命。

通過構建亞微米活性層制備高致密度鉬銅合金的方法 1094     

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一種通過構建亞微米活性層制備高致密度鉬銅合金的方法，涉及粉末冶金技術領域。本發(fā)明通過以下步驟制備鉬銅合金：1）通過理論計算，確定粗粉和細粉的質量；2）通過機械預處理對混合粉進行破碎和混合，使細粉顆粒附著于粗粉顆粒表面；3）通過冷壓成形，使壓坯密度為理論密度的60%；4）在800℃進行骨架燒結，保溫時間3h，將燒結鉬骨架置于熔滲模具中進行熔滲燒結，燒結溫度為1160℃，保溫時間1h。本發(fā)明提供的制備方法可操作性強、燒結溫度低、燒結時間短、鉬相與銅相物理結合增強、鉬銅界面形成擴散層。

石墨烯增強硅硼碳氮陶瓷復合材料及其制備方法 1146     

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石墨烯增強硅硼碳氮陶瓷復合材料及其制備方法。本發(fā)明涉及石墨烯增強硅硼碳氮陶瓷復合材料及其制備方法。本發(fā)明是為解決現(xiàn)有的硅硼碳氮陶瓷復合材料強度低、韌性差、熱震及燒蝕機理不明的問題。產品：按體積份數(shù)由90～99份SiBCN非晶粉末和1～10份石墨烯制成。方法：一、將硅粉、石墨和六方氮化硼加入到球磨機中，在氬氣保護下進行球磨，得到SiBCN非晶粉末；二、將SiBCN非晶粉末和石墨烯球磨混合均勻得到混合粉體；三、將混合粉體進行放電等離子燒結，得到石墨烯增強硅硼碳氮陶瓷復合材料。

CPU風扇用復合陶瓷軸承的制備 837     

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本發(fā)明公開了一種CPU風扇用復合陶瓷軸承的制備，其配方采用密度較低的Al2O3為基，TRIP鋼為燒結助劑，把按配方稱量的原料放入滾筒球磨機中，球磨、過篩、烘干，然后將烘干后的原料置于橡膠模具中，利用冷等靜壓進行成型，成型后的生坯置于高溫燒結爐中進行真空高溫燒結，制備出金屬陶瓷瓷坯，根據(jù)尺寸及技術要求對經過高溫燒結的金屬陶瓷進行精加工，便完成了產品的制備。本發(fā)明制備工藝簡單、產品合格率較高、生產成本低、輕質、硬度大、抗彎強度低、耐磨性好、長壽命、工作噪音低等特點，這使得其具有可替代當前CPU風扇現(xiàn)有軸承的潛能。

原位反應制備的硅硼碳氮鋯復相陶瓷及其方法 819     

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本發(fā)明提供了一種原位反應制備的硅硼碳氮鋯復相陶瓷及其方法。本發(fā)明溶膠凝膠液體以正丙醇鋯，乙酰丙酮，無水乙醇為原料。其中，正丙醇鋯為氧化鋯的先驅體，正丙醇鋯與乙酰丙酮會發(fā)生凝膠反應，無水乙醇為溶劑；硅粉、石墨和六方氮化硼為硅硼碳氮陶瓷復合粉末的原料。方法：將正丙醇鋯和乙酰丙酮在無水乙醇溶液中磁力攪拌48小時候，形成凝膠溶液，然后將硅硼碳氮陶瓷復合粉末按照比例與凝膠溶液混合，磁力攪拌48小時后烘干，在管式爐中550℃條件下裂解3小時，得到硅硼碳氮?氧化鋯陶瓷復合材料。將粉末在放電等離子中2000℃加壓燒結，進行原位反應。其中氧化鋯與非晶氮化硼相發(fā)生碳熱/硼熱還原反應，生成超高溫相硼化鋯。

適用于陶瓷材料回轉體零件磨削加工的專用磨具及其制作工藝 1070     

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本發(fā)明屬于機械加工領域，涉及一種適用于陶瓷材料回轉體零件磨削加工的專用磨具及其制造工藝，針對在現(xiàn)有磨削過程中磨具存在磨損嚴重的問題所提出的，所述專用磨具包括基體和燒結砂面，所述燒結砂面焊接在基體的外緣處，且燒結砂面的端面為圓弧結構，圓弧的直徑根據(jù)待加工回轉體零件表面的曲率來確定，所述燒結砂面厚度大于基體的厚度。本發(fā)明具有結合強度高、抗沖擊強度強，可有效降低待加工回轉體零件加工表面殘余高度，延長專用磨具的使用壽命。

用于碳化硅功率器件的無引線封裝結構和制備方法 1105     

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本發(fā)明涉及一種用于碳化硅功率器件的無引線封裝結構和制備方法。本封裝結構包括一個表面有開槽和通孔的圓形氮化鋁基底、碳化硅功率器件、無引線薄膜電路、一個鍵合在氮化鋁基底上的銅熱沉和氮化鋁封裝蓋子。本發(fā)明封裝結構中沒有的引線，不用擔心引線可能引起的斷路、虛接的不良情況。而且，氮化鋁材料與碳化硅的熱導率相近，器件在凹槽內固定，不會有過多的熱應力，保證器件的可靠性。

煤炭電化學催化氧化脫硫的方法 863     

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煤炭電化學催化氧化脫硫的方法,目前煤炭化學脫硫的方法雖然都能脫除煤中幾乎全部的無機硫及部分有機硫,但大都需要強酸、強堿和強氧化劑并在高溫高壓條件下操作,工藝條件苛刻、成本昂貴,而且有些化學法對煤的結構與性質破壞嚴重。本發(fā)明公開一種一種煤炭電化學催化氧化脫硫的方法,包括如下步驟:(A)采用NaI為支持電解質,其濃度為1.5mol/L,稱取一定量電解質加入到電解槽中的陽極室中,同時在陰極室中加入相同體積、相同組成的支持電解質,連接好集氣系統(tǒng);(B)將粒度為-200目以下的煤樣加入到電解槽陽極室中,煤漿的濃度控制在0.05g/ml;(C)連上水浴槽的循環(huán)水,通電電解;(D)通電4小時后過濾電解液,對煤樣進行洗滌、烘干、稱重,進行硫、熱值灰份和紅外光譜分析。該技術用于煤炭脫硫。

雙連通網狀結構鈦-鎂雙金屬復合材料的制備方法 739     

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一種雙連通網狀結構鈦?鎂雙金屬復合材料的制備方法。本發(fā)明涉及一種雙連通網狀結構鈦?鎂雙金屬復合材料的制備方法。本發(fā)明是為了解決傳統(tǒng)生物醫(yī)用金屬材料如不銹鋼、鈦合金等彈性模量高而導致“應力屏蔽”、生物活性差的問題。方法：將具有較低彈性模量和良好的成骨誘導性能的鎂合金熔化后，利用浸滲的方法滲入低彈性模量的多孔鈦中，冷卻制備成雙連通網狀結構鈦?鎂雙金屬復合材料。本發(fā)明用于制備雙連通網狀結構鈦?鎂雙金屬復合材料。

碳納米管改性碳纖維增強SiBCN陶瓷復合材料的制備方法及應用 949     

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一種碳納米管改性碳纖維增強SiBCN陶瓷復合材料的制備方法及應用，涉及一種SiBCN陶瓷復合材料的制備方法及應用。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有碳纖維與SiBCN陶瓷復合材料中存在碳纖維與SiBCN陶瓷之間的力學性能較差的問題。方法：一、對碳纖維表面進行氧化處理，得到氧化處理的碳纖維；二、碳纖維表面催化劑的附著；三、碳納米管改性碳纖維增強體的制備；四、碳納米管改性碳纖維增強SiBCN陶瓷先驅體的制備；五、碳納米管改性碳纖維增強SiBCN陶瓷復合材料的制備。本發(fā)明制備的復合材料的界面剪切強度可達到61.99～68.01MPa。用于陶瓷材料領域。

空氣-水界面氧化釩納米薄膜的自組裝方法 868     

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空氣-水界面氧化釩納米薄膜的自組裝方法,它涉及氧化釩納米薄膜的制備方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的VO2薄膜的制備方法中高頻磁控濺射法設備昂貴、反應蒸發(fā)法和真空蒸發(fā)法不容易獲得結晶結構的薄膜、溶膠-凝膠法薄膜易有裂痕,表面不光滑的技術問題。本方法:先配制備萘磺酸鈉水溶液,得到模板劑;再用四氯化釩、鹽酸和去離子水配制成前驅體溶液,將前驅體溶液加入到潔凈的玻璃培養(yǎng)皿中,再將模板劑溶液加入,攪拌后放在恒溫氣候箱中靜置,得到濕膜,最后將濕膜干燥、焙燒,得到氧化釩納米薄膜。本發(fā)明薄膜為自組裝的有序結構,表面光滑、均勻,結晶程度高,可用于激光防護領域。

提高鋁基復合材料干摩擦磨損性能的方法 971     

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一種提高鋁基復合材料干摩擦磨損性能的方法，屬于鋁基復合材料技術領域。本發(fā)明針對碳納米管難以在鋁基體中均勻分散和碳納米管與鋁基體界面結合弱的技術難點。本發(fā)明方法：一、利用稱取碳納米管和碳化硅晶須的質量；二、碳納米管表面鍍鎳置于無水乙醇中，超聲分散，懸濁液A；三、碳化硅晶須酸洗后放入蒸餾水中，超聲分散，懸濁液B；四、懸濁液A滴入懸濁液B中，倒入粘結劑，壓制預制塊；五、放入擠壓鑄造模具中，加熱保溫，澆鑄熔融態(tài)鋁合金，密封，二級加壓，保壓冷卻后退模；六、熱擠壓；七、熱處理。本發(fā)明提高鋁基復合材料的干摩擦磨損性能。

鎳基高溫合金/SiC陶瓷復合構件一體化鑄造復合界面調控的方法 992     

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一種鎳基高溫合金/SiC陶瓷復合構件一體化鑄造復合界面調控方法，屬于鑄造裝備及工藝領域。本發(fā)明采用單層多線橫縱編織工藝編制的金屬網狀結構與未澆注的陶瓷配套使用，解決現(xiàn)有鎳基高溫合金/SiC陶瓷復合構件界面結合處需增加零部件背景下鑄造成形后界面內部的殘余應力大，且分布不均勻的問題。金屬網狀結構的金屬經線依次為純銅絲、鉑銠絲和單根NiTi合金絲，其中鉑銠絲和銅絲外面纏繞細的NiTi合金絲；金屬緯線依次為單根NiTi合金絲、外面纏繞細NiTi合金絲的鉑銠絲和單根NiTi合金絲，金屬緯線規(guī)格與金屬經線相同。本申請還具有不需要更換現(xiàn)有的設備，所使用的材料均是常規(guī)材料，適用性廣等優(yōu)點。

鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法 961     

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本發(fā)明提供了一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法，涉及自旋電子學材料制備技術領域，本發(fā)明所述的制備方法首先采用真空封管工藝，在正的X蒸氣壓下合成CuCr2X4粉末材料，將獲得的粉末材料與適量X粉末混合后低溫氬氣氣氛燒結，制成富X的CuCr2X4靶材；進而采用激光脈沖沉積技術，以高能脈沖激光轟擊富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中產生一定的X蒸氣分壓，促使CuCr2X4薄膜在高溫襯底上成為尖晶石相，以實現(xiàn)鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的穩(wěn)定制備。本發(fā)明制備的鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料結晶度高，在室溫下(300K)具有鐵磁性，飽和磁化強度為150?250emu/cm3，尺寸滿足自旋電子器件需求。

含氧化石墨烯的無機高發(fā)射率涂層的制備方法 876     

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一種含氧化石墨烯的無機高發(fā)射率涂層的制備方法，它涉及一種無機高發(fā)射率涂層的制備方法。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的無機高發(fā)射率涂層發(fā)射率低的技術問題。本發(fā)明：一、球磨；二、涂層漿料的制備；三、摻入氧化石墨烯；四、燒結。本發(fā)明添加氧化石墨烯，氧化石墨烯具有高的發(fā)射率、大比表面積、好的導熱性能和良好的水溶性。利用氧化石墨烯中C＝C鍵的高輻射系數(shù)提高涂層的發(fā)射率；氧化石墨烯較大的比表面積，為涂層微納米顆粒提供大量的附著點，石墨烯片狀層狀結構，可提高涂層的內界面，增加輻射波在涂層內部的反射吸收次數(shù)，實現(xiàn)涂層發(fā)射率的提高。

先驅體浸漬裂解制備BN/SiO2復合陶瓷的方法 1158     

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先驅體浸漬裂解制備 BN/SiO2復合陶瓷的方法，它涉 及一種陶瓷材料的制備方法?，F(xiàn)有的熱壓燒結方法存在組織呈 現(xiàn)定向排列、性能表現(xiàn)為各向異性等缺點。本發(fā)明方法包括： a.以B和BN粉末為原料加工成型；b.在一個氮氣大氣壓的氣 氛中燒結，燒結溫度為1500℃～1600℃，保溫時間4～5小時， 得到多孔氮化硼陶瓷；c.浸漬聚碳硅烷溶液，在抽真空的條 件下室溫浸漬32～40小時；d.800℃氧化裂解；e.再在1300 ℃、一個大氣壓的氮氣保護條件下燒結2小時，即得 BN/SiO2復合材料。用本發(fā)明的 方法制備的BN/SiO2復合材料組 織均勻彌散分布無定向排列，綜合性能良好；由于是反應燒結 整個過程沒有施壓，提高了成品率，燒結溫度比熱壓燒結降低 300℃～500℃，降低了成本。