本發(fā)明提供了一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法,涉及自旋電子學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明所述的制備方法首先采用真空封管工藝,在正的X蒸氣壓下合成CuCr2X4粉末材料,將獲得的粉末材料與適量X粉末混合后低溫氬氣氣氛燒結(jié),制成富X的CuCr2X4靶材;進(jìn)而采用激光脈沖沉積技術(shù),以高能脈沖激光轟擊富X的CuCr2X4靶材,在真空腔中產(chǎn)生一定的X蒸氣分壓,促使CuCr2X4薄膜在高溫襯底上成為尖晶石相,以實(shí)現(xiàn)鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的穩(wěn)定制備。本發(fā)明制備的鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料結(jié)晶度高,在室溫下(300K)具有鐵磁性,飽和磁化強(qiáng)度為150?250emu/cm3,尺寸滿足自旋電子器件需求。
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“鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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