該發(fā)明公開了一種通過填充Ga替換Sb提高CoSb₃基方鈷礦材料熱電性能的方法，屬于熱電材料領(lǐng)域及其制備鄰域。本發(fā)明的目的在于提供一種通過填充鎵單質(zhì)(Ga)、碲單質(zhì)(Te)替換部分銻單質(zhì)(Sb)形成填充替換方鈷礦來提高CoSb₃基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過改變單質(zhì)鎵(Ga)的含量和碲單質(zhì)(Te)替換銻單質(zhì)(Sb)的量來調(diào)節(jié)賽貝克系數(shù)、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等參數(shù)來提升CoSb₃基方鈷礦材料的熱電性能，且制備工藝簡單，適合大規(guī)模生產(chǎn)。