本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器老化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器老化測(cè)試核心板，根據(jù)上位機(jī)的參數(shù)配置實(shí)時(shí)產(chǎn)生測(cè)試向量，輸出各種類(lèi)型的測(cè)試信號(hào)、各種測(cè)試圖形，并對(duì)測(cè)試信號(hào)進(jìn)行延時(shí)調(diào)整、加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)、波形控制的處理，以及對(duì)電源信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，產(chǎn)生更精準(zhǔn)的測(cè)試信號(hào)的電源信號(hào)；提升了用戶(hù)對(duì)測(cè)試波形的自定義能力和靈活性；測(cè)試核心板具有分區(qū)的存儲(chǔ)器，將測(cè)試過(guò)程中實(shí)時(shí)對(duì)比測(cè)試的數(shù)據(jù)分區(qū)保存，通過(guò)分區(qū)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)對(duì)失效DUT測(cè)試過(guò)程進(jìn)行控制和失效分析，實(shí)現(xiàn)了老化測(cè)試中對(duì)單個(gè)DUT測(cè)試過(guò)程的控制和失效分析；通過(guò)存儲(chǔ)器譬如DRAM提供的存儲(chǔ)空間保存每顆DUT的每一個(gè)IO足夠長(zhǎng)的測(cè)試信息，從而能夠讓DUT廠(chǎng)商對(duì)各批次失效DUT進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，改善良率，提升產(chǎn)品可靠性。