本發(fā)明涉及一種改進的隨機存取內(nèi)存自檢方法，包括以下步驟：步驟S1，將待測內(nèi)存劃分成多個不疊加的內(nèi)存段；步驟S2，每段內(nèi)存采用Abraham算法進行自檢；步驟S3，預(yù)先計算好待測內(nèi)存中各段測試數(shù)據(jù)異或結(jié)果的CRC值；步驟S4，開始內(nèi)存測試之前，將所有測試數(shù)據(jù)依次填入待測內(nèi)存；步驟S5，每段內(nèi)存測試之后，計算一次當前各段內(nèi)存中數(shù)據(jù)異或結(jié)果的CRC值；步驟S6，在線計算的CRC值與預(yù)算計算好的CRC值做比較，若相同則認為本段內(nèi)存與其他內(nèi)存無耦合，繼續(xù)進行下一段內(nèi)存的測試，重復(fù)步驟S5，若不同則認為發(fā)現(xiàn)耦合，算法終止。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有發(fā)現(xiàn)RAM分段測試后各段內(nèi)存之間耦合失效的情況并提高RAM自檢執(zhí)行效率等優(yōu)點。