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多MOS并聯(lián)失效的檢測電路及檢測設(shè)備

1114   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:31
本實用新型涉及技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種多MOS并聯(lián)失效的檢測電路及設(shè)備,包括NMOS低端保護電路以及PMOS高端保護電路,所述NMOS低端保護電路上電連接有NMOS低端檢測電路,所述PMOS高端保護電路上電連接有PMOS高端檢測電路,所述NMOS低端保護電路包括第一運算放大器U1A、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻Rf以及電阻RF,所述PMOS高端保護電路包括第二運算放大器U1B、電阻R1a、電阻R2a、電阻R3a、電阻Rf1以及電阻RF1,還包括一種多MOS并聯(lián)失效的檢測設(shè)備,該設(shè)備包括上述的多MOS并聯(lián)失效的檢測電路。本實用新型能夠?qū)Χ嗖⒋Wo板中的并聯(lián)的所有MOS管進行實時的檢測,并能夠?qū)z測到的信息通過LED燈實時顯示出來,有效提高保護板的產(chǎn)品質(zhì)量。
聲明:
“多MOS并聯(lián)失效的檢測電路及檢測設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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