本申請?zhí)峁┮环N
芯片失效分析的樣品制備方法及樣品制備設(shè)備。該方法在對待處理芯片的背面進行去除,直至暴露出待處理芯片中裸片的背面;將處理后的芯片的背面固定在玻璃板上,并對處理后的芯片上的各錫球進行凹陷處理,得到相應(yīng)帶孔錫球;采用預(yù)設(shè)的焊線機,基于配置的焊線調(diào)試參數(shù),通過目標(biāo)導(dǎo)線將凹陷處理后的帶孔錫球與分析電路板電連接。該方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中不能對多于8個錫球的芯片進行失效分析的問題,提高了失效分析的成功率和分析效率。
聲明:
“芯片失效分析的樣品制備方法及樣品制備設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)