本發(fā)明公開(kāi)了一種單細(xì)胞陣列電測(cè)量微
芯片,包括基底、陣列式的多個(gè)定位微電極、陣列式的多個(gè)電測(cè)量微電極對(duì)和樣品池微腔體,本發(fā)明還公開(kāi)了單細(xì)胞陣列電測(cè)量微芯片的制造方法、以及利用該微芯片對(duì)細(xì)胞進(jìn)行電測(cè)量和電穿孔的方法。本發(fā)明將細(xì)胞定位與細(xì)胞電測(cè)量和電穿孔相結(jié)合,采用無(wú)標(biāo)記、無(wú)損傷的微操縱、定位和參數(shù)測(cè)量分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)單細(xì)胞陣列、多模式的原位在線測(cè)量和分析;由于定位后的細(xì)胞位置固定,可有效提高細(xì)胞的電學(xué)檢測(cè)精度,并可提升細(xì)胞的電穿孔效率、降低細(xì)胞死亡率。本發(fā)明還將自動(dòng)化控制技術(shù)引入細(xì)胞微操縱和電測(cè)量中,通過(guò)電測(cè)量反饋進(jìn)行細(xì)胞定位的自動(dòng)控制,最終能夠?qū)崿F(xiàn)快速、精確和多模式的細(xì)胞自動(dòng)化測(cè)量和分析。
聲明:
“單細(xì)胞陣列微芯片及其制造、電測(cè)量和電穿孔方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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