本發(fā)明公開了一種用于室溫的超快探測氮氧化物氣體的氣敏元件的制備方法，先將p型單晶硅基片襯底清洗干凈，采用雙槽電化學腐蝕法在清洗過的單晶硅基片的拋光表面制備多孔硅，再將制得的多孔硅置于超高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室，采用金屬鉑作為靶材，以氬氣作為工作氣體，在多孔硅表面沉積一對鉑電極，制成氮氧化物氣體的氣敏元件。本發(fā)明的多孔硅兼具高孔隙率和孔道有序化的優(yōu)點，提供了一種可在室溫工作且對ppm級氮氧化物氣體實現(xiàn)超快探測的氣敏元件的制備方法。