本發(fā)明涉及一種測(cè)試薄膜殘余應(yīng)力及其沿層深 分布的方法。采用光杠桿系統(tǒng)測(cè)量試片曲率半徑,由激光器產(chǎn) 生的入射光束,依次經(jīng)由“半透鏡”與試片表面的透射和反射, 到達(dá)硅光電池接收器。反射光束隨拱形試片水平運(yùn)動(dòng)而偏轉(zhuǎn), 試片的移動(dòng)距離l與硅光電池隨光束偏轉(zhuǎn)而移動(dòng)的距離D存在 線性關(guān)系,由此關(guān)系的斜率可計(jì)算試片曲率半徑。利用化學(xué) 或
電化學(xué)等方法將試片上的薄膜逐層剝除,求出每次剝除前 后試片曲率半徑的當(dāng)量變化量 Ri*,并將該變化量,基片彈性常數(shù) Es、 vs和基片厚度 hs,及每次剝除薄膜的厚度 hl代入式 ,即可求得每層薄膜的殘余應(yīng)力,從而得到薄膜的殘 余應(yīng)力及其沿層深方向的分布。本發(fā)明中提出的光杠桿系統(tǒng)測(cè) 量試片曲率半徑方法,設(shè)計(jì)新穎,測(cè)量精度高。
聲明:
“測(cè)試薄膜殘余應(yīng)力及其沿層深分布的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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