本發(fā)明關(guān)于改善低能量離子植入下的片電阻量測值穩(wěn)定性的方法,可應(yīng)用于半導(dǎo)體制程的純硅晶層中,在純硅晶層上方具有自然氧化層,并藉由低能量離子植入方式將砷離子打入此純硅晶層中;再經(jīng)由稀氫氟酸清洗以除去純硅晶層上方的自然氧化層,再由稀氫氯酸清洗以除去純硅晶層表面的污染物,以及由臭氧水浸洗以形成化學(xué)氧化層于純硅晶層上方;并經(jīng)快速加熱程序以修復(fù)遭受破壞的純硅晶層晶格結(jié)構(gòu);完成半導(dǎo)體制程中的低能量離子植入制程。