本發(fā)明涉及一種Au修飾電極及其制備和用于As(III)檢測。本發(fā)明Au修飾電極包括基底電極碳電極、設(shè)置于所述基底電極外表面的巰基化合物、設(shè)置于所述巰基化合物外表面的金染液處理的金納米粒子AuNPs;Au修飾電極的粗糙度R
f為1~3;修飾電極表面富含S、N配體,能穩(wěn)定負載Au界面和富集砷。本發(fā)明Au修飾電極制備通過CV
電化學(xué)氧化聚合、吸附金納米粒子、金染液處理得到。應(yīng)用本發(fā)明Au修飾電極電化學(xué)ASV方法檢測As(III),活性好,檢測下限低,具有較靈敏的As(III)→As(V)溶出信號,可避免其他雜質(zhì)的溶出峰干擾。
聲明:
“Au修飾電極及其制備和在As(III)檢測中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)