本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基底中填充縫隙的方法。在 反應(yīng)室中提供基底和含有至少一種重氫化合物的氣體混合物。 使該氣體混合物反應(yīng)而通過同時(shí)進(jìn)行的層沉積和蝕刻在基底 上形成材料層。該材料層填充縫隙，使得縫隙內(nèi)的材料是基本 上沒有間隙的。本發(fā)明包括提供改善沉積速率均勻性的方法。 材料在至少一種選自D2、HD、 DT、T2和TH的氣體的存在條件 下沉積在表面上。在沉積期間凈沉積速率橫跨表面具有的偏差 程度在其他方面基本上相同的條件下相對(duì)于使用 H2沉積發(fā)生的偏差程度獲得了 可測(cè)得的改善。