一種晶圓缺陷檢測(cè)方法，包括以下步驟：在待檢測(cè)晶圓的拋光面上覆蓋弱透光性材料層，所述拋光面由化學(xué)機(jī)械拋光形成；對(duì)覆蓋弱透光性材料層后的拋光面進(jìn)行掃描，得到化學(xué)拋光液殘留物信息。上述晶圓缺陷檢測(cè)方法，通過(guò)在經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光形成的拋光面上覆蓋弱透光性材料層，使得在對(duì)拋光面的檢測(cè)中，能夠很容易的檢測(cè)并識(shí)別出覆蓋化學(xué)拋光液殘留物區(qū)域的弱透光性材料層所反射出來(lái)的光信號(hào)，從而準(zhǔn)確檢測(cè)出化學(xué)拋光液殘留物這種缺陷的存在。同時(shí)，相對(duì)于傳統(tǒng)的增大檢測(cè)設(shè)備的敏感度的方法，上述方法可以避免增大檢測(cè)設(shè)備的敏感度所引起的檢測(cè)信號(hào)中噪聲的增加，使得檢測(cè)結(jié)果更為可靠。