本文中描述用于改進(jìn)晶片上的外延生長膜或?qū)拥目傮w厚度控制及徑向厚度輪廓的系統(tǒng)及方法。在若干實(shí)施例中,使用對徑向內(nèi)部區(qū)域及徑向外部區(qū)域處的厚度的連續(xù)原位測量來控制對應(yīng)前體及/或稀釋氣體流率??墒褂冒坠夥瓷錅y量術(shù)通過反應(yīng)器外殼中的視口來進(jìn)行此類測量。
聲明:
“在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中對于外延生長結(jié)構(gòu)的厚度均勻性控制” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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