本發(fā)明公開的一種SiC單晶納米尺度的等離子體電化學(xué)拋光方法，首先將將SiC單晶放在濃H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中里浸泡；其次，測量SiC單晶待拋光面的表面粗糙度，確定出疏化層的厚度；然后，在水基電解液中，以SiC單晶為陽極，不銹鋼為陰極，根據(jù)疏化層的厚度，控制電壓調(diào)制O^2?的離化率，通過O^2?活化電解改性SiC表面，在SiC表面生成疏化層；最后使用軟磨料CeO₂去除表面生成的疏化層后，重復(fù)電解拋光工序清洗干燥即可。本發(fā)明公開的方法通過用等離子體電化學(xué)在材料表面生成疏化膜，降低表面硬度后采用軟性磨粒去除，避免材料產(chǎn)生脆性斷裂等機械損傷表面無化學(xué)殘留，提高表面拋光質(zhì)量的同時兼顧拋光效率。