本發(fā)明揭露了一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其包含:?jiǎn)尉Щ衔?a href="http://m.189000b.com/meet_show-129.html" target="_blank">半導(dǎo)體材料層;以及多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層,其中該多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層經(jīng)由厚度小于25nm、厚度變化不大于15nm的接合層與該單晶化合物半導(dǎo)體材料層接合,其中通過(guò)該單晶化合物半導(dǎo)體材料層與該多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層之間的接口處的瞬態(tài)熱反射所測(cè)量的有效熱邊界電阻(TBReff)小于25m2K/GW,在該半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)上測(cè)量的變化幅度不超過(guò)12m2K/GW,并且其中該單晶化合物半導(dǎo)體材料層具有以下特征之一或兩者:電荷遷移率至少為1200cm2V?1s?1;以及片電阻不超過(guò)700□/平方。
聲明:
“包含多晶化學(xué)氣相沉積鉆石的化合物半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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