本發(fā)明公開了一種化學增幅光刻膠等效擴散模型的建立方法,可同時考慮掩膜板圖形的圖形分布密度對于光刻膠擴散長度的影響,從而可以建立更為準確的光刻膠等效擴散模型,提高對光刻工藝各項參數的模擬結果的精確度。包括以下步驟:(1)測量光刻膠對一組不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的光刻工藝參數;(2)通過空間像模擬解算出光刻膠光酸對所述不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的等效擴散長度值;(3)建立光刻膠光酸的等效擴散長度對各種類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的函數或者表格;(4)根據待模擬圖形的圖形類型及圖形分布密度,選擇該待模擬圖形相應的最佳等效擴散長度值。