證明了一種在化學(xué)機械拋光期間在半導(dǎo)體晶片或基片上在局部區(qū)域中用來提供材料去除的現(xiàn)場監(jiān)視的方法和設(shè)備。具體地說,本發(fā)明的方法和設(shè)備保證探測在晶片表面上在某些局部區(qū)域或區(qū)內(nèi)在不同材料之間的反射(134)的差別。反射的差別(150)用來指示在某些局部區(qū)域每個中材料去除的速率或進展(152)。
聲明:
“在化學(xué)機械拋光中用于終點探測的現(xiàn)場方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)