本發(fā)明涉及一種痕量As(III)重金屬的
電化學(xué)檢測方法,屬于重金屬離子檢測技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以離子印跡聚合膜修飾的玻碳電極為工作電極,Ag/AgCl電極為參比電極,鉑柱電極為對電極,利用示差脈沖伏安法對不同As(III)濃度的緩沖溶液B進(jìn)行測定,繪制示差脈沖曲線,以峰電流和As(III)濃度關(guān)系繪制得到標(biāo)準(zhǔn)曲線;其中離子印跡聚合膜修飾的玻碳電極為IIM?Nano?Au修飾電極,緩沖溶液B中As(III)濃度為9.9×10?12~6.1×10?5mol/L;將離子印跡聚合膜修飾的玻碳電極放入盛有待測As(III)重金屬樣品液的測量池中,采用示差脈沖伏安法以相同的條件測定待測As(III)重金屬樣品液,繪制示差脈沖曲線,得到As(III)的峰電流,將As(III)的峰電流代入標(biāo)準(zhǔn)曲線得到待測As(III)重金屬樣品液中As(III)重金屬濃度。本發(fā)明可直接采用電化學(xué)測定法測定As(Ⅲ)含量。
聲明:
“痕量As(III)重金屬的電化學(xué)檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)