本發(fā)明公開(kāi)了一種SnO2/ZnO納米
復(fù)合材料及其制備方法,包括ZnO納米棒和在ZnO納米棒上生長(zhǎng)的SnO2納米棒,所述的ZnO納米棒長(zhǎng)度為8~20μm,直徑約為1μm,長(zhǎng)徑比為8~20,SnO2納米棒在ZnO納米棒上均勻生長(zhǎng),SnO2納米棒的長(zhǎng)度為600~1000nm,直徑為40~60nm,長(zhǎng)徑比為10~25;通過(guò)水熱法制備纖鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnO單晶納米棒,然后在ZnO單晶納米棒上水熱生長(zhǎng)金紅石結(jié)構(gòu)的SnO2單晶納米棒,水熱制備過(guò)程中無(wú)需任何模板和催化劑,工藝簡(jiǎn)單,產(chǎn)率高,且成本低廉,適合批量生產(chǎn);在初級(jí)結(jié)構(gòu)ZnO納米棒的非極性面上直接生長(zhǎng)次級(jí)結(jié)構(gòu)SnO2納米棒,所制備的納米復(fù)合材料形態(tài)均一、包覆緊密,可以作為雷達(dá)紅外兼容隱身材料、光催化、
太陽(yáng)能電池、氣敏傳感器和鋰離子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“SnO2/ZnO納米復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)