一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器絕緣層上有硅的結(jié)構(gòu) 和制作方法包括 : 一氧化埋層上覆蓋有硅表層且在硅基底之上 多個(gè)場(chǎng)氧化區(qū)域, 形成并延伸過(guò)該基底的硅表層, 且與該硅氧化 埋層接觸; 多個(gè)柵極氧化層、多個(gè)柵電極和多個(gè)源/漏極區(qū); 一渠 溝, 開放并穿過(guò)轉(zhuǎn)換場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源/漏極區(qū)間; 沉積一多晶硅 層以排列渠溝, 并對(duì)該多晶硅層構(gòu)圖以形成至少部分存儲(chǔ)電容 器的低電極; 多個(gè)低電容電極, 覆蓋著一薄介電層; 一摻雜多晶硅 的高電容電極。