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草酸亞錫中性絡(luò)合法制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法

635   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:59:38
本發(fā)明公開了一種草酸亞錫中性絡(luò)合法制備納米二氧化錫基透明導電薄膜的方法:(1)攪拌條件下,將1.25g SnC2O4加入8-12ml 1.1M C6H8O7水溶液中,緩慢滴加三乙醇胺8-12ml至澄清溶液,pH=6.5-7,然后加入0.0067g SbCl3以引入摻雜離子。(2)將玻璃片浸漬于前驅(qū)體溶膠中,提拉、干燥后于450-500℃下熱處理10min,重復15-30次,得到納米晶SnO2基薄膜。本發(fā)明提供了一種在溶膠凝膠工藝中,對于化學穩(wěn)定性較低的某些金屬電極(如鋰離子電池電極)表面鍍膜的方法。
聲明:
“草酸亞錫中性絡(luò)合法制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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